[发明专利]多波束半导体激光装置

摘要

本发明提供多波束半导体激光装置，其抑制多波束半导体激光装置的波束间的焊料彼此的短路不良。激光芯片（11）的表面电极（15）与基座（10）的基座电极（27）通过熔融接合焊料（18）与第二Au镀层（17）而电连接。第二Au镀层（17）在形成在隆起部（20）的两侧的p式第二包覆层（25）上的一对凹槽（21）的一方的上部与焊料（18）接触，并且，第二Au镀层（17）的宽度比焊料（18）的宽度窄，因此隆起部（20）与焊料（18）为在平面上不重合，在隆起部（20）与基座（10）之间具有间隙的结构。

主权项

一种多波束半导体激光装置，其具备：具备三个以上波束的半导体芯片；以及安装上述半导体芯片的支撑基板，该多波束半导体激光装置的特征在于，上述半导体芯片具有：形成在半导体基板的主面上的第一导电式包覆层；形成在上述第一导电式包覆层的上部的活性层；形成在上述活性层的上部的第二导电式包覆层；分别包括上述第二导电式包覆层与形成在上述第二导电式包覆层上部的第二导电式触点层、且以上述波束间为30μm‑50μm的方式排列的三个以上的隆起部；形成在上述隆起部的各个的两侧的上述第二导电式包覆层上的一对凹槽；与上述隆起部的各个电连接，以覆盖上述隆起部的各个的上部与形成在其两侧的上述一对凹槽的上部的方式连续地形成的表面电极；形成在上述表面电极的上部的第一导电层；形成在上述第一导电层的上部，面积比上述第一导电层小的第二导电层；以及形成在上述半导体基板的背面的背面电极，上述表面电极、上述第一导电层、以及上述第二导电层分别与上述隆起部的数量相同地形成，在上述支撑基板的芯片安装面形成与上述隆起部的数量相同的第一电极，在上述第一电极的各个的表面形成焊料，上述半导体基板通过熔融接合上述第二导电层与上述焊料，安装在上述支撑基板的上述芯片安装面上，在上述隆起部与上述支撑基板之间设置间隙，上述隆起部与上述第一电极配置为沿隆起部的排列方向交错开，上述第二导电层在形成在上述隆起部的两侧的上述一对凹槽的一方的上部与上述焊料接触，上述第二导电层与上述焊料之间的与上述隆起部的数量相同的接合部均相对于上述隆起部形成在同侧，沿上述隆起部的排列方向的上述第二导电层叠的宽度比上述焊料的宽度窄。