[发明专利]半导体发光装置无效
| 申请号： | 201310197218.6 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103426992A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 徐钟旭;沈恩德;李相沌;洪玄权 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层，由AlxGayIn1-x-yP（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）或AlzGa1-zAs（0≤z≤1）形成；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，其中，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层中的至少一层包括由(AlvGa1-v)0.5In0.5P（0.7≤v≤1）或AlwIn1-wP（0≤w≤1）形成并且具有凹入和突起的低折射率表面层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层，由AlxGayIn1‑x‑yP或AlzGa1‑zAs形成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，0≤z≤1；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，其中，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层中的至少一层包括由（AlvGa1‑v)0.5In0.5P或AlwIn1‑wP形成并且具有凹入和突起的低折射率表面层，其中，0.7≤v≤1，0≤w≤1。
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