[发明专利]半导体芯片和半导体布置有效
申请号: | 201310185911.1 | 申请日: | 2013-03-22 |
公开(公告)号: | CN103325783A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | D·奥尔;C·卡布施;G·乌茨;G·措耶尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;B60R21/01 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;卢江 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体芯片和半导体布置。本发明的一方面涉及具有半导体主体的半导体芯片。半导体主体具有内部区域和环形外部区域。电子结构单片集成在内部区域中且具有带有第一负载路径和用于控制所述第一负载路径的第一控制输入的可控第一半导体部件。进一步,环形第二电子部件单片集成在外部区域中且围绕所述内部区域。另外,所述第二电子部件具有未与第一负载路径电并联连接的第二负载路径。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 布置 | ||
【主权项】:
一种半导体芯片,包括:半导体主体,包括内部区域和围绕所述内部区域的环形外部区域;电子结构,单片集成在内部区域中且包括具有第一负载路径和用于控制所述第一负载路径的第一控制输入的可控第一半导体部件;环形第二半导体部件,单片集成在所述外部区域中且包括第二负载路径,所述环形第二半导体部件围绕所述内部区域;其中所述第一负载路径和所述第二负载路径未电并联连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的