[发明专利]一种提高大功率GaN基LED发光效率的外延结构及生长方法有效
| 申请号： | 201310180368.6 | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103247729A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 郭丽彬;蒋利民;刘仁锁;杨奎;吴礼清 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230011 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提高大功率GaN基LED发光效率的外延结构及生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱层、发光量子阱层、低温P型GaN层、PAlGaN/PInGaN电流阻挡层、高温P型GaN层和P型接触层，所述PAlGaN/PInGaN电子阻挡层的生长分为九个步骤完成。本发明在外延结构L-PGaN与H-PGaN之间引入一种优化的PAlGaN/PInGaN结构层，代替通常的电子阻挡层,以进一步提高阻挡电子泄漏的效果。该结构可以使得大电流密度注入下InGaN/GaN基LED的器件性能有很大提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 大功率 gan led 发光 效率 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种提高大功率GaN基LED发光效率的外延结构，其特征在于，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱层、发光量子阱层、低温P型GaN层、PAlGaN/PInGaN电子阻挡层、高温P型GaN层和P型接触层。
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