[发明专利]金属有机化学气相沉积装置、气体喷淋组件及其气体分配的控制方法有效
申请号: | 201310167085.8 | 申请日: | 2013-05-08 |
公开(公告)号: | CN104141116B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 马悦;萨尔瓦多;奚明 | 申请(专利权)人: | 理想晶延半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/30;C23C16/52 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201203 上海市张*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种金属有机化学气相沉积装置、气体喷淋组件及其气体分配的控制方法,所述气体喷淋组件包括第一进气管路、第二进气管路和第三进气管路,用于分别将第一气体、第二气体和第三气体传输至气体分配单元,所述气体分配单元为一体成型的单层结构,所述气体分配单元包括间隔设置的A型气体分配腔,B型气体分配腔和C型气体分配腔,分别用于分配所述第一气体、第二气体和第三气体,且所述间隔设置在水平面与垂直面截面皆为连续迂回截面。本发明使得可以调节两种反应气体的气体分配腔的数量,在单一反应单元内实现了多种材料生长。本发明分配单元为一体成型的单层结构,避免了多层、多点焊接的复杂加工,极大降低了制造成本。 | ||
搜索关键词: | 金属 有机化学 沉积 装置 气体 喷淋 组件 及其 分配 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种金属有机化学气相沉积装置,包括反应腔、位于所述反应腔顶部的气体喷淋组件以及与所述气体喷淋组件相对设置的基座,所述基座可以相对所述气体喷淋组件旋转,其特征在于,所述气体喷淋组件包括第一进气管路、第二进气管路和第三进气管路,用于分别将第一气体、第二气体和第三气体传输至气体分配单元,所述气体分配单元为一体成型的单层结构,所述气体分配单元的边缘有一圆环形气体缓冲区,所述气体缓冲区与所述第三进气管路连通,用以收容所述第三气体,所述气体分配单元包括A型气体分配腔、B型气体分配腔和C型气体分配腔,所述A型气体分配腔、B型气体分配腔和C型气体分配腔间隔设置,分别用于分配所述第一气体、第二气体和第三气体,所述A型气体分配腔内安装有板部件,所述板部件具有排气孔,用于排出所述第一气体,所述气体分配单元具有排气面,所述排气面上具有一体成型的排气孔,用于排出所述第二气体和第三气体,所述A型气体分配腔的数量或所述B型气体分配腔的数量可调节。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的