[发明专利]托盘及等离子体加工设备有效
申请号: | 201310158104.0 | 申请日: | 2013-05-02 |
公开(公告)号: | CN104134624B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 张宝辉;李东三;刘利坚;栾大为;高福宝;杨智慧;李宗兴 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01J37/32;H01J37/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供的托盘及等离子体加工设备,在每个托盘的装片位上设置有进气通道,该进气通道包括边缘进气通道和中间进气通道,其中,边缘进气通道设置在装片位上,且位于装片位的靠近边缘的位置,并由沿装片位的周向间隔设置的多个边缘进气孔组成;中间进气通道设置在装片位上,且位于边缘进气通道与装片位的中心之间,并且中间进气通道包括多个中间进气孔,多个中间进气孔沿装片位的圆周方向间隔设置。本发明提供的托盘,其可以改善被加工工件的边缘区域的热交换效果,从而可以使被加工工件的边缘区域与中间区域的温度趋于均匀,进而可以提高等离子体加工设备的工艺均匀性。 | ||
搜索关键词: | 托盘 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】:
一种托盘,用于承载被加工工件,并借助热交换气体对被加工工件的温度进行调节,所述托盘包括多个装片位,所述被加工工件一一对应地置于所述装片位上,并且,在每个所述装片位上设置有进气通道,热交换气体经由所述进气通道流入所述装片位和与之对应的被加工工件的下表面之间的缝隙中;其特征在于,所述进气通道包括边缘进气通道和中间进气通道,其中所述边缘进气通道设置在所述装片位上,且位于所述装片位的靠近边缘的位置,并由沿所述装片位的周向间隔设置的多个边缘进气孔组成;所述中间进气通道设置在所述装片位上,且位于所述边缘进气通道与所述装片位的中心之间,并且所述中间进气通道包括多个中间进气孔,所述多个中间进气孔沿所述装片位的圆周方向间隔设置;所述边缘进气孔的直径小于所述中间进气孔的直径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310158104.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法
- 下一篇:一种断路器的灭弧室
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造