[发明专利]提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法无效
| 申请号： | 201310147784.6 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103325680A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 包兴坤 | 申请（专利权）人： | 苏州硅智源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L23/552;H01L29/73 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215122 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法，包括一个NPN双极型三极管，其上已经形成了可变厚度的氧化层。改善该晶体管抗辐射的方法是：先去除可变厚度的氧化层，使得三极管形成一个新的氧化层，新的氧化层比去除的氧化层的总体积少。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 集成电路 双极型 三极管 辐射 方法 | ||
【主权项】：
一种提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法，其特征是：该集成电路包括一个NPN双极型三极管，该三极管已经形成了体积可变厚度的氧化层，一种改善三极管抗辐射的方法组成步骤：去除可变厚度的氧化层；使三极管形成一个预设体积的第一个新的氧化层，且这一预设体积小于去除的氧化层的体积，以减少辐射对NPN双极型三极管损坏的概率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
