[发明专利]提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法

权利要求书

1.一种提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法，其特征是：该集成电路包括一个NPN双极型三极管，该三极管已经形成了体积可变厚度的氧化层，一种改善三极管抗辐射的方法组成步骤：去除可变厚度的氧化层；使三极管形成一个预设体积的第一个新的氧化层，且这一预设体积小于去除的氧化层的体积，以减少辐射对NPN双极型三极管损坏的概率。

2.根据权利要求1所述的提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法，其特征是：去除三极管表面的氧化层的步骤包括：在暴露表面的区域植入一层N型掺杂层，即砷物质；其中N型掺杂层的浓度和第一个新的氧化层厚度的选择要使得三极管能产生理想的磁场阈值电压。

3.根据权利要求1所述的提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法，其特征是：三极管表面的氧化层厚度大致均匀，即不超过5000埃；第一个新的氧化层上有一个玻璃层，该玻璃层是在低温下化学沉积氧化而形成，其厚度不超过5000埃。

4.根据权利要求1所述的提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法，其特征是：该集成电路包括一个NPN三极管，一个已经形成的厚度可变的氧化层，一种改善三极管抗辐射的方法组成步骤：去除三极管上已经形成的可变厚度的氧化层，使得三极管的表面显露出来；在其表面植入一个N型掺杂层，以设置其阈值电压；三极管形成第一个新的氧化层，新的氧化层比去除的氧化层的总体积少；新的氧化层上有一个玻璃层，该玻璃层是在低温下化学沉积氧化而形成，其厚度不超过5000埃。

5.根据权利要求1所述的提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法，其特征是：该集成电路包括一个PNP双极型三极管，该三极管已经形成了体积可变厚度的氧化层，一种改善三极管抗辐射的方法组成步骤：去除可变厚度的氧化层；使三极管形成第一个预设体积的新的氧化层，且这一预设体积小于去除的氧化层的体积，以减少辐射对NPN双极型三极管损坏的概率。

6.根据权利要求5所述的提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法，其特征是：第一个新的氧化层的厚度不超过5000埃，步骤还包括：去除覆盖在三极管发射极和基极区域上第一个新的氧化层；并且在其发射极和基极区形成第二个新的氧化层，第二个新的氧化层的厚度小于第一个新的氧化层的厚度，即使得第二个新的氧化层的厚度不超过1000埃。

7.根据权利要求5和6所述的提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法，其特征是：去除三极管表面的氧化层的步骤包括：在暴露表面的区域植入一层N型掺杂层，即砷物质；其中N型掺杂层的浓度和第一个新的氧化层厚度的选择要使得三极管能产生理想的磁场阈值电压；第一个新的氧化层上有一个玻璃层，该玻璃层的厚度不超过5000埃；在第一个新的氧化层和第二个新的氧化层上形成一个玻璃层，该玻璃层的厚度不超过5000埃。

8.根据权利要求5所述的提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法，其特征是：根据权利要求1所述的提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法，其特征是：该集成电路包括一个PNP双极型三极管，该三极管已经形成了体积可变厚度的氧化层，一种改善三极管抗辐射的方法组成步骤：去除三极管上已经形成的可变厚度的氧化层，使得三极管的表面显露出来；在其表面植入一个N型掺杂层，以设置其阈值电压；三极管表面形成第一个新的氧化层，第一个新的氧化层厚度大致均匀；去除覆盖在三极管发射极区域的第一个新的氧化层；在三极管的发射极和基极区域形成第二个新的氧化层，使得第二个新的氧化层的厚度小于第一个新的氧化层的厚度，从而，第一个和第二个新的氧化层去除的整体的体积和比去除的氧化层的体积小。

9.根据权利要求8所述的提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法，其特征是：第一个新的氧化层的厚度不超过5000埃，第二个新的氧化层的厚度不超过1000埃；第一个新的氧化层和第二个新的氧化层上形成了一个玻璃层，该玻璃层的厚度不超过5000埃。