[发明专利]一种大尺寸石墨烯堆叠结构晶圆及其制备方法有效
| 申请号： | 201310147767.2 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103227194A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 马中发;张鹏;吴勇;庄奕琪;肖郑操;赵钰迪;郭超;冯元博 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 710071 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种大尺寸石墨烯堆叠结构晶圆，其特征在于，所述晶圆结构自上而下依次为：石墨烯单晶层，h-BN单晶层，h-BN缓冲层，以及SiO2/Si晶圆衬底。本发明有益效果在于，所述晶圆不但可以充分兼容现有的硅基半导体器件生产工艺，还可充分利用六方氮化硼衬底材料的特性，保证生长的石墨烯具有最完美的晶格结构和散射最弱的载流子输运环境，最大可能的保留石墨烯中载流子的超高迁移率，从而大大提高石墨烯基电子器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 石墨 堆叠 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸石墨烯堆叠结构晶圆，其特征在于，所述晶圆结构自上而下依次为：石墨烯单晶层，h‑BN单晶层，h‑BN缓冲层，以及SiO2/Si晶圆衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310147767.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：充气轮胎
- 下一篇：采集次数控制模式下的多线程数据采集系统同步控制方法
- 同类专利
- 专利分类
