[发明专利]一种低电压跟随的电压基准电路有效
| 申请号： | 201310129074.0 | 申请日： | 2013-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN103235625A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 李兆桂 | 申请（专利权）人： | 无锡普雅半导体有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顾吉云 |
| 地址： | 214102 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及模拟电源技术领域，尤其涉及一种基准电压电路结构，具体为一种低电压跟随的电压基准电路，其能够提供一个在较低电源电压下输出电压跟随电源电压，而在较高电源电压下输出电压跟随参考电压的基准电压，其包括第一PMOS管，第二PMOS管，第一PMOS管的栅端分别与第一PMOS管的漏端、第二PMOS管的栅端连接，其特征在于，第一PMOS管的源端连接电源VDD、漏端连接第三NMOS管的漏端，第三NMOS管的栅端连接参考电压Vref，第二PMOS管的源端连接电源VDD、漏端连接第四NMOS管的漏端，第四NMOS管的栅端、漏端相连后连接电压输出端，第三、第四NMOS管的源端相连后连接偏置电流源一端，偏置电流源另一端连接地GND。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 跟随 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种低电压跟随的电压基准电路，其特征在于，其包括第一PMOS管，第二PMOS管，所述第一PMOS管的栅端分别与所述第一PMOS管的漏端、第二PMOS管的栅端连接，所述第一PMOS管的源端连接电源VDD、漏端连接第三NMOS管的漏端，所述第三NMOS管的栅端连接参考电压Vref，所述第二PMOS管的源端连接所述电源VDD、漏端连接第四NMOS管的漏端，所述第四NMOS管的栅端、漏端相连后连接电压输出端，所述第三、第四NMOS管的源端相连后连接偏置电流源一端，所述偏置电流源另一端连接地GND。
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