[发明专利]一种沟槽型IGBT结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型IGBT结构的制作方法，属于半导体技术领域。该方法在N‑型衬底的上表面开出一窗口区域，在窗口区域通过硅的选择氧化方法生长氧化层，在窗口区域的两侧分别刻蚀一沟槽；在N‑型衬底的上表面和沟槽的侧壁均淀积栅氧层，在栅氧层上淀积多晶硅层，刻蚀除两沟槽内和两沟槽之间以外的多晶硅层，在两沟槽的外侧分别形成p‑基底区域，在p‑基底区域形成N+注入区；在p‑基底区域和所述多晶硅层上沉淀隔离氧化层，刻蚀部分隔离氧化层，形成发射器的接触孔。本发明通过在硅表面以下生长氧化层，通过增加电容介质的厚度，减小密勒电容，从而增加了器件的快速反应能力。

主权项

1.一种沟槽型IGBT结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在N‑型衬底的上表面开出一窗口区域，在所述窗口区域通过硅的选择氧化方法生长氧化层，在所述窗口区域的两侧分别刻蚀一沟槽；在所述N‑型衬底的上表面和所述沟槽的侧壁均淀积栅氧层，在所述栅氧层上淀积多晶硅层，刻蚀除两所述沟槽内和两所述沟槽之间以外的多晶硅层，在两所述沟槽的外侧分别形成p‑基底区域，在所述p‑基底区域形成N+注入区；在所述p‑基底区域和所述多晶硅层上沉淀隔离氧化层，刻蚀部分所述隔离氧化层，形成发射器的接触孔；在所述N‑型衬底的正面淀积金属层，形成发射器的电极，在所述金属层上淀积钝化层；在所述N‑型衬底的背面形成N‑缓冲层，在所述N‑缓冲层上形成P+集电区；在所述N‑型衬底的底部，采用淀积方法，生长背面金属；其中，所述氧化层的厚度与所述沟槽的深度相同。