[发明专利]一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法在审
| 申请号： | 201310085560.7 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103839989A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 田晓丽;朱阳军;吴振兴;陆江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。所述低压IGBT包括P+型衬底、N+缓冲层、N-漂移区和正面结构；N+缓冲层在P+型衬底上，N-漂移区在N+缓冲层上，正面结构在N-漂移区的上方。所述方法包括：在均匀掺杂的P+型衬底上外延生长N+缓冲层，并抛光N+缓冲层的表面；将N-单晶硅片减薄，并抛光其表面；通过键合的方式将N+缓冲层与N-单晶硅片合成一个整体；在N-单晶硅片上制作正面结构。本发明通过键合的方式形成基底材料，只需要进行一次外延工艺，且生长的外延层厚度较薄，降低了制造成本，保证了外延质量，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缓冲 低压 igbt 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种带缓冲层的低压IGBT，其特征在于，包括P+型衬底、N+缓冲层、N‑漂移区和正面结构，所述N+缓冲层在所述P+型衬底上，所述N‑漂移区在所述N+缓冲层上，所述正面结构在所述N‑漂移区的上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司，未经中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310085560.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
