[发明专利]制造外延涂覆半导体晶片的装置和方法无效
| 申请号： | 201310080898.3 | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103173854A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | R·绍尔;N·维尔纳 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/12;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造经外延涂覆的半导体晶片的方法，其中制备多个至少在其正面上抛光的半导体晶片，并且均依次单独通过化学气相沉积法在外延反应器内于800至1200℃的温度下将外延层施加到其经抛光的正面上而通过以下步骤进行涂覆：分别将一片所制备的半导体晶片支撑在根据本发明的装置上，从而使该半导体晶片位于该环上，该半导体晶片的背面朝向具有透气性结构的基座的底部，但是不接触该基座，从而通过气体扩散使气态物质从该半导体晶片的背面上方的区域透过该基座导入基座的背面上方的区域内，此外该半导体晶片仅在其背面的边缘区域内与该环相接触，其中在半导体晶片内完全不会产生利用光弹性应力测量法（“SIRD”）可测的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 外延 半导体 晶片 装置 方法 | ||
【主权项】：
用于在外延反应器内通过化学气相沉积法于半导体晶片的正面上沉积一层时支撑该半导体晶片的装置，其包括具有透气性结构的基座以及位于该基座上的用作该基座与所支撑的半导体晶片之间的热缓冲器的环。
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