[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310076840.1 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104051338A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李冠儒;赖二琨 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：形成一第一栅结构于一第一区域中的一衬底上；衬底包括邻近的第一半导体层与第二半导体层；形成保护层覆盖第一栅结构；形成一隔离结构在第一半导体层的一侧壁与第二半导体层的一侧壁之间；形成一第二栅结构于保护层露出的邻近于第一区域的一第二区域中的第一半导体层上；形成一第三栅结构于保护层露出的第二半导体层上；在形成第二栅结构或第三栅结构之后，移除保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，包括：形成一第一栅结构于一第一区域中的一衬底上，其中该衬底包括邻近的一第一半导体层与一第二半导体层；形成一保护层覆盖该第一栅结构；形成一隔离结构在该第一半导体层的一侧壁与该第二半导体层的一侧壁之间；形成一第二栅结构于该保护层露出的邻近于该第一区域的一第二区域中的该第一半导体层上；形成一第三栅结构于该保护层露出的该第二半导体层上；在形成该第二栅结构或该第三栅结构之后，移除该保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
