[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法无效
| 申请号： | 201310072658.9 | 申请日： | 2013-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103311153A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 三浦丈苗 | 申请（专利权）人： | 大日本网屏制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 董雅会;郭晓东 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置，使基板浸渍于处理液中来对基板进行处理，包括：处理槽，用于贮存处理液；升降机，能够支撑多张基板，在位于上述处理槽的上方的提起位置和位于上述处理槽的内部的处理位置之间进行升降；处理液供给单元，向上述处理槽供给处理液；滴下单元，向贮存于上述处理槽中的处理液的液面滴下表面活性剂；控制单元，在使上述处理液供给单元向上述处理槽供给处理液，通过上述升降机使基板位于处理位置来通过处理液对基板进行了处理之后，在使上述升降机向提起位置上升的过程中，从上述滴下单元滴下表面活性剂。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，将基板浸渍于处理液中来对基板进行处理，其特征在于，包括：处理槽，用于贮存处理液；升降机，能够支撑多张基板，在位于上述处理槽的上方的提起位置和位于上述处理槽的内部的处理位置之间进行升降；处理液供给单元，向上述处理槽供给处理液；滴下单元，向贮存于上述处理槽中的处理液的液面滴下表面活性剂；控制单元，在使上述处理液供给单元向上述处理槽供给处理液，通过上述升降机使基板位于处理位置并通过处理液对基板进行了处理之后，在使上述升降机向提起位置上升的过程中，使上述滴下单元滴下表面活性剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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