[发明专利]一种磁传感器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种磁传感器件的制造方法，根据该方法制得的磁传感器件工作温度在2K到500K(即-271℃到227℃)范围内，电阻率在250μΩcm到3500μΩcm范围内。在2K到500K的工作温度范围内，样品的线性度小于千分之二，磁场线性度保持在-7kOe到7kOe范围内，具有性能稳定，检测范围宽等优点。本发明解决了传统的半导体磁传感器件体积大、工作温度范围窄、导电性差等问题，是一种更加经济实用、能够在更宽的磁场范围内保持线性度的磁传感器件磁性材料。

主权项

一种磁传感器件的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：1)用光刻和掩膜的方法在基片上形成为了沉积薄膜的“十”字形图案。图案中心正方形的边长在0.3～1.0微米，中心正方形的四个边上突出部分的长度为0.2微米；2)采用通用的超高真空磁控溅射镀膜机，在背底真空度小于5.0×10‑5Pa时，将高纯度的Ar气和O2气的混合气体通入真空室，其中Ar气流量为10sccm，O2气流量为2.7sccm；3)待真空度下降为1.0Pa以下，将超高真空闸板阀的开启度设定为20％；在铁靶上加以设定为475W的直流功率，在铂靶上加以设定为50W的直流功率，预溅射5分钟；4)打开铁靶、铂靶和基片的挡板，基片以20转/分钟的速度匀速旋转，控制溅射时间在0.5～20分钟成膜；5)通过磁力转轴将样品送到副真空室，取出样品，除去光刻胶；用光刻和掩膜的方法在基片上正方形Fe2.95La0.05O3薄膜的四个边的外侧形成为了沉积四个电极的矩形图案。每个电极图案分别与正方形Fe2.95La0.05O3薄膜的四个边有0.15微米的重叠部分。将样品送入真空室，连续制备50纳米厚的钛层和500纳米厚的金层形成电极，钛靶和金靶均采用直流溅射；6)通过磁力转轴将样品送到副真空室，取出样品，除去光刻胶； 用光刻和掩膜的方法在基片上正方形Fe2.95La0.05O3薄膜的上方形成为了沉积保护层的正方形图案，正方形的边长在0.5～1.2微米，将Fe2.95La0.05O3薄膜完全覆盖。将样品送入真空室制备二氧化硅保护层。二氧化硅靶采用射频溅射，设定溅射功率为200W，溅射时间为10分钟。