[发明专利]用于铜互连的氮化钴层及它们的形成方法有效
| 申请号： | 201310057566.3 | 申请日： | 2008-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103151335A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | R·G·高登;H·伯罕达里;金勋 | 申请（专利权）人： | 哈佛学院院长等 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;C23C16/34;C23C16/04;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于铜互连的氮化钴层及它们的形成方法。提供了用于集成电路的互连结构，其包括有助于铜线的成核、生长和附着的氮化钴层。可将氮化钴沉积在难熔金属氮化物或碳化物例如氮化钨或氮化钽的层上，所述层充当铜的扩散阻挡层并且还提高氮化钴和下方的绝缘体之间的附着。可以由新型脒基钴前体通过化学气相沉积形成氮化钴。沉积在氮化钴上的铜层显示出高的电导率并且可充当微电子用铜导体的电化学沉积的籽晶层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 氮化 它们 形成 方法 | ||
【主权项】：
在衬底上形成的集成电路互连结构，该互连结构包含：位于限定互连结构的衬底表面上的保形的多晶态Co4N层；和位于所述多晶态Co4N层上方的含铜导电层。
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