[发明专利]一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法

摘要

本发明公开了一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法，在衬底上，或在已沉积特定异变外延层的虚拟衬底上形成纳米小球的单层排布，并控制纳米小球间隙的大小；将纳米小球间隙连在一起，形成纳米尺度图形；以纳米小球为掩膜，在纳米小球间隙内沉积外延层材料，并与衬底或虚拟衬底紧密结合，增大外延层材料的沉积厚度，使外延层材料高出纳米小球，外延层材料横向生长并合并，完全覆盖住纳米小球，降低外延层材料的表面粗糙度。本发明纳米小球间隙的生长窗口具有宽度窄、深宽比高的特征，纳米小球可以有效阻挡衬底与外延层之间由于晶格失配产生的穿透位错在外延层中继续向上穿通，大幅度提高异变外延材料质量，解决晶格失配材料间异变外延生长问题。

主权项

一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法，其特征在于，所述异变外延生长方法具体包括：S1：在衬底上，或在已沉积特定异变外延层的虚拟衬底上形成纳米小球的单层排布，并控制纳米小球间隙的大小；S2：将所述纳米小球间隙连在一起，形成纳米尺度图形；S3：以所述纳米小球为掩膜，以所述纳米小球间隙为生长窗口进行选区外延，生长外延层材料；步骤S3具体包括：S31：以所述纳米小球为掩膜，在所述纳米小球间隙内沉积外延层材料，并与所述衬底或所述虚拟衬底紧密结合；S32：增大所述外延层材料的沉积厚度，使所述外延层材料高出纳米小球；S33：所述外延层材料横向生长并合并，完全覆盖住所述纳米小球；S34：降低所述外延层材料的表面粗糙度；若所述步骤S1中纳米小球间隙小，所述步骤S2中进行扩大纳米小球间隙处理。