[发明专利]具有额外漏极OD增加的高压漏极延伸MOSFET有效
| 申请号： | 201310051885.3 | 申请日： | 2013-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103840001A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈奕升;朱振樑;萧世匡;陈斐筠;郑光茗 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路包括：具有第一掺杂类型的高压阱，嵌入高压阱中的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区具有第二掺杂类型并且通过高压阱中的沟道间隔开；在第一掺杂区和第二掺杂区中形成的源极/漏极区，每个源极/漏极区都具有第二掺杂类型并且比第一掺杂区和第二掺杂区更重度地掺杂；与每个源极/漏极区都间隔开的第一隔离区；和围绕每个源极/漏极区形成环的电阻保护氧化物。本发明公开了具有额外漏极OD增加的高压漏极延伸MOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 额外 od 增加 高压 延伸 mosfet | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：具有第一掺杂类型的高压阱；嵌入所述高压阱中的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有第二掺杂类型并且通过所述高压阱中的沟道间隔开；形成在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区中的源极/漏极区，每个所述源极/漏极区都具有所述第二掺杂类型并且比所述第一掺杂区和所述第二掺杂区更重度地掺杂；第一隔离区，每个所述第一隔离区都与每个所述源极/漏极区间隔开；以及位于所述高压阱上方的电阻保护氧化物，所述电阻保护氧化物围绕每个所述源极/漏极区形成环。
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