[发明专利]用于蚀刻有机硬掩膜的方法

摘要

一种在光刻工艺中蚀刻或者除去低介电常数膜上的有机硬掩膜的方法。该方法包括提供电介质膜，该电介质膜的上方具有待除去的有机硬掩膜，该电介质膜具有不大于约4.0的介电常数，在所述有机硬掩膜的上方引入可电离气体，该可电离气体包括氢气和氧化性气体的混合物，以及对该混合物施加能量以形成该混合物的等离子体。该方法还包括在所述有机硬掩膜的温度超过200℃时，用该等离子体接触所述有机硬掩膜以除去该有机硬掩膜而不实质性损害下面的衬底。

主权项

一种蚀刻或者去除有机硬掩膜的方法，包括：提供包括暴露的低‑k电介质的半导体晶片衬底，其中所述衬底包括位于覆盖电介质下方的堆积低‑k电介质，该覆盖电介质具有的k值高于该堆积低‑k电介质，并且该衬底上方具有待除去的有机硬掩膜，其中所述堆积低‑k电介质比所述覆盖电介质厚；在所述衬底和有机硬掩膜的上方引入可电离气体，该可电离气体包括氢气和氧化性气体的混合物；对该混合物施加能量以形成该混合物的等离子体；以及用该等离子体接触所述有机硬掩膜，其中所述衬底和所述有机硬掩膜的温度超过200℃，以除去该有机硬掩膜的至少一部分而不损害下面的衬底表面或者所述暴露的低‑k电介质。