[发明专利]一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法有效
| 申请号： | 201310045571.2 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103088386A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 胡秀兰 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | C25D11/02 | 分类号： | C25D11/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 于永进 |
| 地址： | 210009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种新型的金属氧化物半导体纳米材料的制备方法。通过脉冲直流电源对置于水中的两根金属电极供电以在两电极之间产生等离子体放电，在放电产生的高能量等离子体对金属电极表面进行持续溅射攻击下，从电极表面形成的金属原子或金属原子团簇进入水中，随后经过原位氧化和附着生长形成了具有独特形貌的金属氧化物纳米材料。该方法在常温常压开放体系中运作，实验设备要求简单，可操作性强，且产物纯度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法，包括以下步骤：取目标金属作为两个相对的电极，连接脉冲直流电源形成放电回路，并将两电极以相对且保持一定间距的位置浸没在水中；在保持搅拌的情况下，连通电路以使两电极之间产生高能量等离子体；依据产量要求控制反应时间，待放电结束后，溶液经过滤或离心分离、干燥即得到对应的金属氧化物半导体纳米材料。
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