[发明专利]发光二极管封装结构在审
申请号: | 201310033366.4 | 申请日: | 2013-01-29 |
公开(公告)号: | CN103972372A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 林厚德;张超雄;陈滨全;陈隆欣 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/48 |
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地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管封装结构,包括封装基板、设置于封装基板上的发光二极管晶粒,所述封装基板上设置电路结构,所述发光二极管晶粒具有分别与电路结构电连接的正电极和负电极,所述发光二极管晶粒上形成有与正、负电极的至少其中之一电连接的凸块,所述电路结构上对应发光二极管晶粒的凸块形成有防氧化金属层,所述发光二极管晶粒的凸块与电路结构上的防氧化金属层电连接。本发明中电路结构上对应于发光二极管晶粒的凸块形成有防氧化金属层,且该发光二极管晶粒通过凸块与电路结构上的防氧化金属层电连接,这能有效提升发光二极管封装结构的电性接触性能。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装结构,包括封装基板、设置于封装基板上的发光二极管晶粒,所述封装基板上设置电路结构,所述发光二极管晶粒具有分别与电路结构电连接的正电极和负电极,其特征在于:所述发光二极管晶粒上形成有与正、负电极的至少其中之一电连接的凸块,所述电路结构上对应发光二极管晶粒的凸块形成有防氧化金属层,所述发光二极管晶粒的凸块与电路结构上的防氧化金属层电连接。
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