[发明专利]一种耗尽型功率场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种耗尽型功率场效应晶体管及其制备方法，包括步骤：在N++型半导体衬底表面形成N-型漂移区；形成包括磷掺杂层、硼掺杂层及锑掺杂层的N型耗尽层；制作栅极结构；制作P阱；制作与所述N型耗尽层相连的N+型源区；制作P+型接触区；制作介质层并形成电极制备区域；以及制作金属电极。本发明采用具有锑离子掺杂的三层结构的N型耗尽层，在不需要增加掩膜的情况下获得性能良好的N型耗尽层，可以有效降低功率场效应晶体管的阈值电压，有效降低晶体管的导通电阻，并能提高晶体管的关断速度。

主权项

一种耗尽型功率场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1）提供一N++型半导体衬底，于该N型半导体衬底表面外延N‑型漂移区；2）通过离子注入及退火工艺于所述N‑型漂移区表面形成包括依次层叠的磷掺杂层、硼掺杂层及锑掺杂层的N型耗尽层；3）于所述N‑型漂移区表面形成栅氧层及多晶硅层，并通过光刻工艺形成栅极结构；4）采用自对准工艺于所述栅极结构的侧面进行P型离子注入，并进行高温退火使所述P型离子于所述栅极结构及N型耗尽层下方向前推进，形成P阱；5）通过离子注入工艺及退火工艺于所述P阱中形成与所述N型耗尽层相连的N+型源区；6）通过离子注入及退火工艺于所述P阱及N+型源区之间形成P+型接触区；7）于上述结构表面形成介质层；8）通过光刻工艺于所述介质层及其下方刻出电极制备区域，以露出所述N+型源区、P+型接触区以及P阱；9）于所述电极制备区域中及介质层表面沉积金属电极，使所述金属电极同时与所述N+型源区、P+型接触区以及P阱连接。