[发明专利]利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201310020894.6 | 申请日： | 2008-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103151378B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 叶洋 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/26 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明大体上包含具有半导体材料的薄膜晶体管(TFT)，所述半导体材料包含氧、氮及一或多个选自于由锌、锡、镓、镉和铟所构成的群组中的元素以作为有源沟道。该半导体材料可用于底栅TFT、顶栅TFT和其他类型的TFT中。通过蚀刻来图案化TFT可形成沟道和金属电极。接着，使用该半导体材料当作蚀刻终止层来执行干法蚀刻而限定出源极/漏极。有源层的载流子浓度、迁移率以及与TFT其他层的界面可调整成预定值。调整方式可为改变含氮气体与含氧气体的流量比例、退火及/或等离子体处理所沉积的半导体膜，或是改变铝掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 薄膜 半导体材料 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包含：在薄膜晶体管中的半导体层，所述半导体层包含：包含氧、氮、锌、铟和镓的氮氧化物；或者包含氧、氮、锌和锡的氮氧化物。
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