[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201280076656.0 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN104756248A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 齐藤省二; 哈利德·哈桑·候赛因; 饭塚新 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34; H01L23/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波; 张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明所涉及的半导体装置的特征在于具有：半导体元件，其具有上表面和下表面；金属板，其与该下表面进行了热连接；上表面电极，其被软钎焊于该上表面；绝缘片，其在该上表面电极之上，以与该上表面电极进行面接触的方式形成；屏蔽板，其在该绝缘片之上以与该绝缘片进行面接触的方式形成，屏蔽辐射噪声；以及树脂，其使该上表面电极的一部分、该屏蔽板的一部分、以及该金属板的下表面露出到外部，并覆盖该半导体元件，该绝缘片的热传导率比该树脂的热传导率高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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