[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种在大电流通断等中使用的半导体装置。

背景技术

专利文献1中，公开了一种对岛部(island)以及在岛部上接合的半导体元件进行树脂封装的半导体装置。该半导体装置在封装树脂的表面或内部形成具有电磁波屏蔽功能的导电层，减小来自外部的电磁波噪声的影响。此外，连接该导电层与岛，从而能够在导电层与岛部之间进行热传导，能够从导电层对热进行散热。

专利文献1：日本特开平06－275741号公报

发明内容

从对大电流进行通断的半导体元件产生辐射噪声。能够想到，辐射噪声会使以例如数伏特至数十伏特的电源电压驱动的控制电路的动作产生误动作。因此，半导体装置优选以能够屏蔽对控制电路的辐射噪声的方式构成。

另一方面，还需要充分考虑半导体装置的散热性提高以及小型化。即，优选在充分确保进行了树脂封装的半导体元件的散热性并提高半导体元件的可靠性的同时，尽可能地对半导体装置进行小型化。

如专利文献1中公开的半导体装置这样，通过使屏蔽辐射噪声的导电层(屏蔽板)与岛部接触，从而能够从半导体元件的下表面进行散热。但是，以此方式仅从半导体元件的一个面散热，有时散热性不足。

本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种小型且能够抑制辐射噪声对控制基板的影响，并且具有高散热性的半导体装置。

本发明所涉及的半导体装置的特征在于具有：半导体元件，其具有上表面和下表面；金属板，其与该下表面进行了热连接；上表面电极，其被软钎焊于该上表面；绝缘片，其在该上表面电极之上，以与该上表面电极进行面接触的方式形成；屏蔽板，其在该绝缘片之上以与该绝缘片进行面接触的方式形成，屏蔽辐射噪声；以及树脂，其使该上表面电极的一部分、该屏蔽板的一部分、以及该金属板的下表面露出到外部，并覆盖该半导体元件，该绝缘片的热传导率比该树脂的热传导率高。

本发明的其他特征在下面会变得清楚。

发明的效果

根据该发明，利用与树脂一体地形成的屏蔽板，确保半导体元件的上表面侧的散热路径，因而能够提供一种小型且能够抑制辐射噪声对控制基板的影响，并且具有高散热性的半导体装置。

附图说明

图1是本发明实施方式1所涉及的半导体装置的剖视图。

图2是本发明实施方式1所涉及的半导体装置的树脂等的斜视图。

图3是本发明实施方式2所涉及的半导体装置的剖视图。

图4是本发明实施方式2所涉及的半导体装置的树脂等的斜视图。

图5是本发明实施方式3所涉及的半导体装置的剖视图。

图6是本发明实施方式3所涉及的半导体装置的树脂等的斜视图。

图7是本发明实施方式4所涉及的半导体装置的剖视图。

图8是本发明实施方式4所涉及的屏蔽板的斜视图。

图9是表示屏蔽板的变形例的斜视图。

图10是本发明实施方式5所涉及的半导体装置的剖视图。

图11是本发明实施方式5所涉及的金属板的斜视图。

图12是表示金属板的变形例的斜视图。

图13是本发明实施方式6所涉及的半导体装置的剖视图。

具体实施方式

参照附图对本发明实施方式所涉及的半导体装置进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同的标号，有时省略重复的说明。

实施方式1

图1是本发明实施方式1所涉及的半导体装置的剖视图。半导体装置10具有例如由IGBT形成的半导体元件12。半导体元件12具有上表面和下表面。在上表面形成有栅极12a和发射极12b。在下表面形成有集电极12c。

在半导体元件12的栅极12a连接有例如由Al或Cu形成的导线14的一端。导线14的另一端与控制电极16连接。在半导体元件12的上表面的发射极12b利用焊料18固定有上表面电极20(N侧电极)。在上表面电极20之上，以与上表面电极20进行面接触的方式形成有绝缘片22。在绝缘片22之上，以与绝缘片22进行面接触的方式形成有屏蔽板24。屏蔽板24例如由Al、Cu或石墨等屏蔽辐射噪声的材料形成。