[发明专利]用于抛光铝半导体基材的组合物及方法有效
申请号: | 201280056948.8 | 申请日: | 2012-09-10 |
公开(公告)号: | CN103946958B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 崔骥;S.格拉宾;G.怀特纳;林致安 | 申请(专利权)人: | 嘉柏微电子材料股份公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邢岳 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种化学机械抛光组合物,其包含经包覆的α‑氧化铝颗粒、有机羧酸、及水。本发明还提供一种化学机械抛光组合物,其包含在抛光组合物中具有负的ζ电位的研磨剂、有机羧酸、至少一种烷基二苯醚二磺酸盐表面活性剂、及水,其中该抛光组合物不进一步包含杂环化合物。该研磨剂在抛光组合物中是胶体稳定的。本发明进一步提供使用前述抛光组合物抛光基材的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 抛光 半导体 基材 组合 方法 | ||
【主权项】:
一种化学机械抛光基材的方法,该方法包括:(i)提供包含至少一个铝层的基材;(ii)提供抛光垫;(iii)提供抛光组合物,其包含:(a)用共聚物包覆的α‑氧化铝颗粒,该共聚物包含至少一种磺酸根单体以及选自羧酸根单体、膦酸根单体及磷酸根单体的至少一种单体;(b)用于铝的络合剂;(c)烷基二苯醚二磺酸盐表面活性剂;及(d)水;(iv)将该基材的表面与该抛光垫及该抛光组合物接触;以及(v)磨除该基材的所述表面的至少一部分,以自该基材的所述表面除去至少一些铝和抛光该基材的所述表面,其中该抛光组合物的pH值为1至6,且其中所述用共聚物包覆的α‑氧化铝颗粒在该抛光组合物中是胶体稳定的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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