[发明专利]Ga2O3系单晶体的供体浓度控制方法有效
| 申请号： | 201280043331.2 | 申请日： | 2012-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103782376A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所 |
| 主分类号： | H01L21/425 | 分类号： | H01L21/425 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够在Ga2O3系单晶体中形成具有优异导电性的区域的、使用了离子注入法的Ga2O3系单晶体的供体浓度控制方法。通过如下方法来控制Ga2O3系单晶体（1）的供体浓度，所述方法包括：利用离子注入法向Ga2O3系单晶体（1）导入第IV族元素作为供体杂质，在Ga2O3系单晶体（1）中形成第IV族元素的浓度比未注入第IV族元素的区域高的供体杂质注入区域（3）的工序，和通过800℃以上的退火处理，从而使供体杂质注入区域（3）中的第IV族元素活化而形成高供体浓度区域的工序。 | ||
| 搜索关键词： | ga sub 单晶体 供体 浓度 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种Ga2O3系单晶体的供体浓度控制方法，包括：利用离子注入法向Ga2O3系单晶体导入第IV族元素作为供体杂质，在所述Ga2O3系单晶体中形成供体杂质注入区域的工序，该供体杂质注入区域的所述第IV族元素的浓度比未注入所述第IV族元素的区域高，和通过800℃以上的退火处理，使所述供体杂质注入区域中的所述第IV族元素活化而形成高供体浓度区域的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社田村制作所，未经株式会社田村制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280043331.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 共掺杂铒和氮的p型氧化锌材料制作方法-201810588414.9
- 刘胜;曹强;王鹏洁 - 武汉大学
- 2018-06-08 - 2019-06-21 - H01L21/425
- 本发明属于氧化锌薄膜制作技术领域，具体提供了共掺杂铒和氮的p型氧化锌材料制作方法，通过离子束发生装置得到铒离子束和氮离子束，铒离子束和氮离子束经过质量分析器后进入加速装置，然后经过中性束偏移器，然后经过聚焦装置聚焦成混合离子束，最后经过偏转扫描装置后入射到氧化锌薄膜上，并通过飞秒激光退火装置对氧化锌薄膜进行瞬态退火。通过精确的工艺工序得到了掺杂铒和氮的p型氧化锌材料，并经过后处理得到p型氧化锌薄膜半导体材料，该材料性能可靠稳定，且具有高空穴密度的特点；该制作方法具有可重复性操作的特点，当制作平台建立后便可以不断生产共掺杂铒和氮的p型氧化锌薄膜半导体材料，利于大规模生产。
- 一种等离子喷嘴以及等离子处理装置-201820190533.4
- 蔡卫 - 深圳市诚峰智造有限公司
- 2018-02-02 - 2018-08-14 - H01L21/425
- 本实用新型公开了一种等离子喷嘴，包括本体，所述本体的一端封闭，本体的另一端设置有盲孔，本体的侧壁上设置有通孔，所述通孔的两端分别连通所述盲孔和外界，所述通孔的轴线与所述盲孔的轴线之间的夹角大于0°且小于180°。还公开了一种等离子处理装置，包括等离子喷嘴，还包括等离子发生器套管和电极，所述等离子发生器套管内包括容置腔，所述电极设置于所述容置腔内；所述等离子喷嘴的另一端连接于所述容置腔的腔口。本实用新型改变了传统方式的等离子束的路径，让等离子束偏斜一定角度从喷嘴中出来，从而使等离子处理装置的适用性更加广泛，不仅可以处理平面产品，而且可以处理内壁槽、隐藏槽、燕尾槽等槽式产品。
- Ga2O3系单晶体的供体浓度控制方法-201280043331.2
- 佐佐木公平 - 株式会社田村制作所
- 2012-08-02 - 2014-05-07 - H01L21/425
- 本发明提供能够在Ga2O3系单晶体中形成具有优异导电性的区域的、使用了离子注入法的Ga2O3系单晶体的供体浓度控制方法。通过如下方法来控制Ga2O3系单晶体（1）的供体浓度，所述方法包括：利用离子注入法向Ga2O3系单晶体（1）导入第IV族元素作为供体杂质，在Ga2O3系单晶体（1）中形成第IV族元素的浓度比未注入第IV族元素的区域高的供体杂质注入区域（3）的工序，和通过800℃以上的退火处理，从而使供体杂质注入区域（3）中的第IV族元素活化而形成高供体浓度区域的工序。
- 晶体管-201190000075.X
- 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 - 中国科学院微电子研究所
- 2011-02-23 - 2013-05-22 - H01L21/425
- 本实用新型涉及一种晶体管。本实用新型的晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中所述源区包含在平行于衬底表面的方向上排列的多个位错。
- 晶体管-201190000072.6
- 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 - 中国科学院微电子研究所
- 2011-02-21 - 2012-12-26 - H01L21/425
- 本实用新型提供了一种晶体管。该晶体管（100）包括：半导体衬底（102）；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质（104）；形成在所述栅极电介质上的栅极（106）；位于所述栅极电介质下方的沟道区（112）；位于所述半导体衬底中、且分别在所述沟道区两侧的源区（108）和漏区（110），其中至少所述源区和漏区之一包含毗邻所述沟道区、在垂直于所述半导体衬底的表面的方向上排列的一组位错（101），该组位错包含至少两个位错。
- 利用直线加速器的厚层转移的方法和结构-200780041135.0
- 弗兰乔斯·J·亨利;艾伯特·拉姆;巴巴克·阿迪比 - 硅源公司
- 2007-11-06 - 2009-09-16 - H01L21/425
- 一种用一个或多个半导体衬底，如单晶硅、多晶硅、锗化硅、锗、III/IV族材料等制造自支撑材料厚度的方法。在特定实施方式中，本方法包括提供具有表面区和厚度的半导体衬底。该方法包括使半导体衬底的表面区经受用直线加速器生成的第一多个高能粒子，从而在剥离区内形成多个吸除点的区域，剥离区被提供在表面区下面从而限定待分离材料的厚度，半导体衬底被保持在第一温度。在特定实施方式中，该方法包括使半导体衬底的表面区经受用直线加速器生成的第二多个高能粒子，该第二多个高能粒子用来将剥离区的应力水平从第一应力水平提高到第二应力水平。在优选实施方式中，半导体衬底被保持在比第一温度高的第二温度。该方法采用剥离工艺，如受控的剥离工艺，来释放可分离的材料厚度。
- 连续大面积扫描注入工艺的方法与系统-200780026734.5
- 弗兰乔斯·J·亨利 - 硅源公司
- 2007-07-25 - 2009-07-22 - H01L21/425
- 公开了一种使用连续的大面积扫描注入工艺制造掺杂基底的方法。在一个实施例中，本方法包括在具有进口和出口的腔中提供一种可移动的轨道构件。本方法也可以包括提供包括第一多个瓦片的第一基底。本方法包括将包括第一多个瓦片的第一基底从入口转移到可移动的轨道构件上。对第一多个瓦片实施扫描注入工艺。本方法也包括在真空中保持包括第二多个瓦片的第二基底。本方法包括将包括第二多个瓦片的第二基底从入口转移到可移动的轨道构件上。本方法包括使用扫描注入工艺对第二多个瓦片实施注入工艺。
- 驱动电路和驱动电路中使用的漏极扩展晶体管-200780022656.1
- S·P·彭哈卡 - 德克萨斯仪器股份有限公司
- 2007-04-20 - 2009-07-01 - H01L21/425
- 一种晶体管(100)，其包括第一导电类型的源极区，该源极区与第一半导体区电连通。该晶体管还包括第一导电类型的漏极区，该漏极区与不同于第一半导体区的第二半导体区电连通。第一半导体区和第二半导体区之间存在一界面。该晶体管还包括一电压分接区，该电压分接区包括与漏极区(118)相比位置更靠近界面的至少一部分。还公开了一种混合技术电路。
- 改进的薄化法制造的玻璃绝缘体上的半导体-200780014202.X
- 冯江蔚;K·P·加德卡里;J·F·麦齐;M·J·莫尔;M·A·斯托克 - 康宁股份有限公司
- 2007-04-16 - 2009-05-20 - H01L21/425
- 制造玻璃上半导体(SiOG)结构的方法和设备，其包括：对给体半导体晶片的注入表面进行离子注入过程，在该给体半导体晶片中产生脱落层；采用电解使脱落层的注入表面与玻璃基片结合；将脱落层与给体半导体晶片分离，因而露出至少一个裂开的表面；和对至少一个裂开的表面进行湿蚀刻。
- 铜互连布线及其形成方法和装置-200780011696.6
- A·J·勒恩;S·R·舍曼;R·M·格夫肯;J·J·豪塔拉 - TEL埃皮恩公司
- 2007-02-06 - 2009-04-22 - H01L21/425
- 在铜互连布线层上遮盖一层或多层，以用于集成电路的互连结构，以及通过应用气体团簇离子束处理来形成用于集成电路的改进集成互连、结构的方法和装置。铜扩散减小且提高了电迁移寿命，并避免了选择性金属遮盖技术的使用以及该技术所伴随产生的问题。公开了包括用于铜遮盖、清洗、蚀刻以及膜成形步骤的气体团簇离子束处理模块的多种集簇设备配置。
- 形成具有不对称电介质区域的半导体器件的方法及其结构-200680003369.1
- L.·马修;V.·R.·克拉冈塔;D.·C.·辛格 - 飞思卡尔半导体公司
- 2006-02-01 - 2009-03-11 - H01L21/425
- 一种用于形成半导体器件(10)的方法，包括形成半导体衬底(2)；在该半导体衬底上形成具有第一侧面和第二侧面的栅电极(16)；在栅电极之下形成栅极电介质。该栅极电介质具有位于栅电极之下并邻近栅电极的第一侧面的第一区域(42)、位于栅电极之下并邻近栅电极的第二侧面的第二区域(44)、以及位于栅电极之下并介于第一区域和第二区域之间的第三区域(14)，其中第一区域比第二区域薄，第三区域比第一区域薄且比第二区域薄。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
