[发明专利]氮化物半导体层生长用结构、层叠结构、氮化物系半导体元件及光源以及它们的制造方法无效
| 申请号： | 201280010663.0 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN103403842A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 崔成伯;横川俊哉;井上彰;山田笃志 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B25/04;C30B25/18;C30B29/38;H01L33/16;H01L33/22;H01L33/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘文海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请公开的氮化物半导体层生长用结构具备以m面为生长面的蓝宝石基板、在蓝宝石基板的生长面上形成的多个脊状的氮化物半导体层，在多个脊状的氮化物半导体层的各自之间配置的凹部的底面为蓝宝石基板的m面，多个脊状的氮化物半导体层的生长面为m面，多个脊状的氮化物半导体层的延伸方向与蓝宝石基板的c轴所成的角度的绝对值为0度以上且35度以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 生长 结构 层叠 元件 光源 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体层生长用结构，其中，具备：以m面为生长面的蓝宝石基板；在所述蓝宝石基板的所述生长面上形成的多个脊状的氮化物半导体层，在所述多个脊状的氮化物半导体层的各自之间配置的凹部的底面为所述蓝宝石基板的m面，所述多个脊状的氮化物半导体层的生长面为m面，所述多个脊状的氮化物半导体层的延伸方向与所述蓝宝石基板的c轴所成的角度的绝对值为0度以上且35度以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
