[发明专利]激光处理装置和激光处理方法有效
| 申请号： | 201280003296.1 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103155106A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 小林直之;山口芳广;清野俊明;工藤利雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;B23K26/00;B23K26/06;B23K26/073;B23K26/08;H01L21/20;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明能够用低成本的装置结构、以较高的控制性能对晶圆等被处理体照射可见激光和近红外激光，能以较高的生产率对被处理体进行激光处理。激光处理装置包括：输出可见激光的可见激光光源（G1）；传导可见光激光的可见光光学系统（GS）(光纤（G2）和准直透镜（G3）)；输出近红外激光的近红外激光光源（R1）；传导近红外激光的近红外光光学系统RS(光纤（R2）、聚光透镜（R3）、光纤（R4）和准直透镜（R5）)；以及使由可见光光学系统GS传导的可见激光和由近红外光光学系统（RS）传导的近红外激光进行合波，并将其传导至被处理体（1）的合波光学系统（MS）(分色镜（M1）、电流计镜（M2）和fθ透镜（M3）)。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种激光处理装置，其特征在于，包括：输出可见激光的可见激光光源；输出近红外激光的近红外激光光源；以及将所述可见激光和所述近红外激光进行合波，并传导至被处理体的合波光学系统。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
