[实用新型]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201220672816.5 申请日: 2012-12-07
公开(公告)号: CN203013709U 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 古原健二 申请(专利权)人: 三垦电气株式会社
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L23/495;H01L23/367
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 田勇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 实用新型提供一种半导体装置,包括功率元件和控制元件,所述半导体装置具有:引线框架,其具有安装有功率元件的第一模具垫,安装有控制元件的第二模具垫,以及外部端子;金属线,其作为电接线;以及树脂封装体,其使引线框架的外部端子突出并进行封装;其中,外部端子与功率元件之间使用粗的金属线连接,功率元件与第二模具垫之间使用细而且硬的金属线连接。通过本实用新型,可以防止在制造时金属线变形或断开;并且,细的金属线可以压缩从控制元件产生的导热路径,防止热量的传导而且成本较低。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括功率元件(101)和控制元件(102),其特征在于,所述半导体装置具有:引线框架(103),其具有安装有所述功率元件(101)的第一模具垫(104),安装有所述控制元件(102)的第二模具垫(105),以及外部端子(106);金属线(301,302,303),其作为电接线;以及,树脂封装体(501),其使所述引线框架(103)的所述外部端子(106)突出并进行封装;其中,所述外部端子(106)与所述功率元件(101)之间使用第三金属线(303)连接,所述功率元件(101)与所述第二模具垫(105)之间使用比所述第三金属线(303)细而且硬的第一金属线(301)连接。
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