[实用新型]应用于驱动功率MOSFET半桥的集成电路结构有效
| 申请号： | 201220644561.1 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN202978890U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张骁宇;陈冠峰;毛旭进;蒋亚平 | 申请（专利权）人： | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0944 | 分类号： | H03K19/0944 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种应用于驱动功率MOSFET半桥的集成电路结构，属于电路结构技术领域。该驱动集成电路结构包括电源模块、功率MOSFET半桥上管驱动电路模块和功率MOSFET半桥下管驱动电路模块，功率MOSFET半桥上管驱动电路模块和功率MOSFET半桥下管驱动电路模块的输入端分别为功率MOSFET半桥上管和功率MOSFET半桥下管的控制信号输入端，电源模块包括分别连接所述的功率MOSFET半桥上管驱动电路模块和功率MOSFET半桥下管驱动电路模块的电流源输出端和电压源输出端。该集成电路结构利用通用的双极集成电路制造工艺设计，有效解决了分立器件驱动电路占用PCB板面积大，电路复杂，安装调试不方便等问题，并内置死区时间控制和上下管信号互锁功能，且制造成本低廉，应用范围也较为广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 驱动 功率 mosfet 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种应用于驱动功率MOSFET半桥的集成电路结构，其特征在于，所述的集成电路结构包括电源模块、上管驱动电路模块和下管驱动电路模块，所述的上管驱动电路模块的输入端为上管控制信号输入端；所述的下管驱动电路模块的输入端为下管控制信号输入端；所述的电源模块包括电流源输出端和电压源输出端，所述的电流源输出端和电压源输出端均分别连接所述的上管驱动电路模块和下管驱动电路模块。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润矽科微电子有限公司，未经无锡华润矽科微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220644561.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：八通道TR组件
- 下一篇：一种与色谱设备通信连接的新型进样器接口电路
