[实用新型]便于调节间距的半导体沉积结构有效
申请号: | 201220602729.2 | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN202954088U | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 许亮 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种便于调节间距的半导体沉积结构,至少包括加热底盘、位于所述加热底盘上方的容器盖、以及连接于所述容器盖底部的若干喷气组件;所述喷气组件包括设有空腔的喷气头、连通所述空腔并设置在所述喷气头下表面的若干喷气孔、连通所述空腔并设置在所述喷气头上表面的供气管以及均匀设置在该喷气头上表面用于固定且高度可调的三根连接件;所述连接件顶部固定于所述容器盖底部;所述加热底盘和所述喷气头之间还包括具有标准厚度的间距校准平板。本实用新型的便于调节间距的半导体沉积结构包括间距校准平板,使间距的调节简单易行,且精确度高,并可配置多个不同厚度的间距校准平板,使用时根据工艺要求选择相应的间距校准平板。 | ||
搜索关键词: | 便于 调节 间距 半导体 沉积 结构 | ||
【主权项】:
一种便于调节间距的半导体沉积结构,其特征在于:所述半导体沉积结构至少包括加热底盘、位于所述加热底盘上方的容器盖、以及连接于所述容器盖底部的若干喷气组件;所述喷气组件包括设有空腔的喷气头、连通所述空腔并设置在所述喷气头下表面的若干喷气孔、连通所述空腔并设置在所述喷气头上表面的供气管以及均匀设置在该喷气头上表面用于固定且高度可调的三根连接件;所述连接件顶部固定于所述容器盖底部;所述加热底盘和所述喷气头之间还包括具有标准厚度的间距校准平板。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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