[实用新型]一种便于便于晶体收集的坩埚有效

专利信息
申请号: 201820169003.1 申请日: 2018-01-31
公开(公告)号: CN208071847U 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 董家海 申请(专利权)人: 浙江诺华陶瓷有限公司
主分类号: C30B35/00 分类号: C30B35/00
代理公司: 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 代理人: 刘计成
地址: 322100 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种便于便于晶体收集的坩埚,包括底座、坩埚和籽晶,所述底座的上端设置有密封罩,且密封罩的下端设置有抽气机,所述密封罩的上端设置有第一电机,所述连接杆的下端设置有固定板,且固定板的左侧设置有加热片,所述坩埚位于加热片的右侧,所述坩埚的下方设置有接收盒,所述收集盒的上端设置有第一凹槽,所述籽晶位于支撑杆的上端,所述密封罩的右侧设置有固定杆,所述升降块的右端设置有齿轮,所述转轴的右侧设置有第二电机,且转轴的外侧设置有连接带,所述底座的上表面设置有第二凹槽。该便于便于晶体收集的坩埚的坩埚的底部的竖直截面呈梯形结构,保证坩埚底部不会有残留的原材料,方便了后期对坩埚的清洗。
搜索关键词: 坩埚 上端 密封罩 底座 固定板 加热片 下端 转轴 籽晶 电机 本实用新型 梯形结构 外侧设置 抽气机 固定杆 接收盒 连接带 连接杆 上表面 收集盒 支撑杆 齿轮 清洗 升降 残留 保证
【主权项】:
1.一种便于便于晶体收集的坩埚,包括底座(1)、坩埚(9)和籽晶(13),其特征在于:所述底座(1)的上端设置有密封罩(2),且密封罩(2)的下端设置有抽气机(3),所述密封罩(2)的上端设置有第一电机(4),且第一电机(4)的下端设置有连接杆(5),所述连接杆(5)的下端设置有固定板(6),且固定板(6)的左侧设置有加热片(7),所述坩埚(9)位于加热片(7)的右侧,且坩埚(9)的下端设置有支撑架(8),所述坩埚(9)的下方设置有接收盒(10),且接收盒(10)的下方设置有收集盒(11),所述收集盒(11)的上端设置有第一凹槽(12),且收集盒(11)的下方设置有支撑杆(14),所述籽晶(13)位于支撑杆(14)的上端,所述密封罩(2)的右侧设置有固定杆(15),且固定杆(15)的下端设置有升降块(16),所述升降块(16)的右端设置有齿轮(17),且齿轮(17)的上方设置有转轴(19),所述转轴(19)的右侧设置有第二电机(18),且转轴(19)的外侧设置有连接带(20),所述底座(1)的上表面设置有第二凹槽(21)。
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  • 本实用新型涉及晶体技术领域,且公开了一种用于晶体生长的保温罩,包括培养箱,所述培养箱的顶部设置有保温罩外壳,所述保温罩外壳的底部固定连接有隔热板,所述培养箱的顶部开设有密封槽,所述密封槽的内壁固定安装有密封圈,所述培养箱的外壁和保温罩外壳的外壁均固定连接有均匀分布的锁紧块,所述锁紧块的顶部设置有固定螺钉。该用于晶体生长的保温罩,通过设置加热管,可发热来弥补与外界的热交换,从而使培养箱内部温度达到一个恒定值,且通过设置驱动装置带动风扇转动,从而加快培养箱内气流流速,使温度分布更加均匀,通过设置变频器可调节加热管的发热功率,使整个装置内部温度恒定,方便了使用者使用。
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  • 邵忠;吴彪;贾林涛 - 上海康碳复合材料科技有限公司
  • 2018-11-08 - 2019-07-02 - C30B35/00
  • 本实用新型公开一种石墨芯模,包括圆柱形底部,和与该圆柱形底部匹配的有弧面的盖子,盖子与圆柱形底部连接一起,盖子中间为中空设计。本实用新型有利于石墨芯模和沉积后的碳纤维坯体的分离,大大减少了橡皮锤的锤击力度和次数,延长了石墨芯模的使用寿命,一定程度上减少了成本。
  • 一种单晶炉氩气回收系统-201821942697.4
  • 朱刚;汪涛;封红军 - 朱刚
  • 2018-11-23 - 2019-07-02 - C30B35/00
  • 本实用新型涉及一种单晶炉氩气回收系统,其特征在于:废氩气储罐的出气端口通过管道连接加热器的进气端口,加热器的出气端口通过管道连接催化反应器的进气端口,催化反应器的出气端口通过管道连接冷却器的进气端口,冷却器的出气端口通过管道连接吸附器的进气端口,吸附器的出气端口通过管道连接高纯氩储罐的进气端口;所述催化反应器内装填有一氧化碳脱除催化剂,吸附器内装填沸石分子筛。本实用新型无需再使用低温精馏装置去除额外引入的空气、氧气及氢气等杂质,简化了系统流程,降低了氩气回收成本。
  • 一种高纯碳化硅原料的合成方法及其应用-201711122063.4
  • 高超;窦文涛;张红岩;李长进;李加林;宗艳民 - 山东天岳先进材料科技有限公司
  • 2017-11-14 - 2019-06-25 - C30B35/00
  • 本发明属于晶体生长技术领域,具体涉及一种高纯碳化硅原料的合成方法及其应用。本发明通过三步反应技术,形成外层为SiC、内层为Si的SiC包覆Si的高纯颗粒。将Si包覆SiC内部,在使用此颗粒作为原料生长高纯SiC单晶时,表层的SiC升华后形成残余碳后,包覆于内部的硅能够继续与残余碳反应形成新的SiC,从而不断保持Si/C比处于平衡状态;同时减少碳颗粒可以减少长晶过程中SiC单晶内的碳包裹物形成。从SiC单晶生长的源头解决SiC单晶生长过程中的杂质和碳包裹物缺陷问题。
  • 一种晶体原料用预处理装置-201821216124.3
  • 廖永建;周里华;张福亮 - 惠磊光电科技(上海)有限公司
  • 2018-07-27 - 2019-06-21 - C30B35/00
  • 本实用新型涉及光电功能晶体制备技术领域,公开了一种晶体原料用预处理装置,旨在解决现有技术中盛放装置处密封性不佳的问题,其包括盛放装置,盛放装置包括螺纹插接设置的连接筒和对接筒,对接筒远离连接筒一端开口设置,且其开口处向内延伸设有凸缘,还包括石英管,石英管开口端向外延伸设有翻边,石英管插接于对接筒中,翻边搭接于凸缘靠近连接筒一侧设置,连接筒中还同轴设有卡筒,卡筒两端开口设置,且饶其两端端面设有橡胶圈,两橡胶圈分别抵设于翻边靠近连接筒顶端的一侧和连接筒顶部内壁设置。本实用新型通过卡筒两端橡胶圈的设置,提高卡筒和翻边及连接筒内壁抵接处的密封性,从而提高抽真空效果,进而提高晶体原料预处理效果。
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