[实用新型]高功率半导体激光器防止反射光损伤装置有效

专利信息
申请号: 201220488638.0 申请日: 2012-09-21
公开(公告)号: CN202856145U 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 王智勇;李庆轩;刘友强;秦文斌 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00
代理公司: 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 代理人: 陈圣清
地址: 100022 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及一种高功率半导体激光器防止反射光损伤装置,属于激光技术领域。本装置在半导体激光发光芯片的出射光路中依次放置偏振器件和λ/4波片,利用半导体激光束是线偏振光的特性,通过λ/4波片改变反射光束的偏振特性,再采用偏振器件阻止反射光反射到半导体激光器的发光芯片上,由此使得工件反射的部分光束无法照射到半导体激光发光芯片的表面,实现了半导体激光器在激光材料加工过程中防止反射光损伤的目的,延长了高功率半导体激光器的使用寿命。
搜索关键词: 功率 半导体激光器 防止 反射光 损伤 装置
【主权项】:
高功率半导体激光器防止反射光损伤装置,其特征在于:所述装置包括在半导体激光器的出射光路中依次放置的偏振器件和λ/4波片;半导体激光发光芯片出射的线偏振光束依次经过偏振器件和λ/4波片后照射到工件上,工件反射的部分光束沿原出射光路返回偏振器件,偏振器件阻止反射光反射到发光芯片上。
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