[实用新型]一种实现局域寿命控制的IGBT有效
| 申请号： | 201220427314.6 | 申请日： | 2012-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN202839616U | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 吴海平;秦博;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315800 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提出了一种实现局域寿命控制的IGBT，该IGBT包括集电区，在集电区之上形成有缓冲层，在缓冲层之上形成有漂移区，在集电区与漂移区之间形成有至少一层低寿命高复合层，该低寿命高复合层内具有复合中心，能够降低载流子的寿命，在漂移区内形成有阱区，在阱区内形成有发射区，在漂移区之上依次形成有栅介质层、栅极、隔离层和发射极，在集电区之下形成有集电极。本实用新型在集电区与漂移区之间形成有至少一层低寿命高复合层，该低寿命高复合层可以复合器件通态时产生的大量过剩载流子，提高复合电流，减小集电区空穴注入，从而降低关断拖尾时间，达到降低开关时间、开关损耗的目的，并提高器件抗闩锁能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 局域 寿命 控制 igbt | ||
【主权项】：
一种实现局域寿命控制的IGBT，其特征在于，包括：集电区，所述集电区为重掺杂；在所述集电区之上形成有缓冲层，所述缓冲层为重掺杂，其导电类型与所述集电区的导电类型相反； 在所述缓冲层之上形成有漂移区，所述漂移区为轻掺杂，其导电类型与所述集电区的导电类型相反；在所述集电区与所述漂移区之间形成有至少一层低寿命高复合层，所述低寿命高复合层内具有复合中心；在所述漂移区内形成有阱区，在所述阱区内形成有发射区，所述阱区的导电类型与所述集电区的导电类型相同，所述发射区为重掺杂，其导电类型与所述集电区的导电类型相反；在所述漂移区之上依次形成有栅介质层、栅极、隔离层和发射极；在所述集电区之下形成有集电极；所述漂移区、集电区和缓冲层为单晶硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波比亚迪半导体有限公司，未经宁波比亚迪半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220427314.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电阻率梯度分布的外延片
- 下一篇：一种具有屏蔽功能的叠层厚膜电路模块
- 同类专利
- 专利分类
