[实用新型]一种贴片双向触发二极管芯片有效
| 申请号： | 201220384325.0 | 申请日： | 2012-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN202996842U | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 韩建军 | 申请（专利权）人： | 济南硅银电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 郑自群 |
| 地址： | 250061 山东省济南市济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种贴片双向触发二极管芯片，用以解决现有双向触发二极管存在抗浪涌能力较差、高温特性较差的问题。该贴片双向触发二极管芯片包括硅片，所述硅片的两个表面上分别开设有位置对应的隔离槽，所述隔离槽包围有对所述硅片扩磷后形成的PN结，所述隔离槽的深度大于扩磷深度；所述隔离槽上覆盖有保护膜；所述PN结上设置有引线孔和镀金的金属电极。上述贴片双向触发二极管芯片具有抗浪涌能力高、高温特性好、低温稳定性好、可靠性高、成本较低的优点，而且，体积小、调整余地大，是市场上分立器件小型化的发展方向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 触发 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种贴片双向触发二极管芯片，其特征在于，包括：硅片，所述硅片的两个表面上分别开设有位置对应的隔离槽，所述隔离槽包围有对所述硅片扩磷后形成的PN结，所述隔离槽的深度大于扩磷深度；所述隔离槽上覆盖有保护膜；所述PN结上设置有引线孔和镀金的金属电极。
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