[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201220380055.6 | 申请日： | 2012-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN202736907U | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 郭志明;何荣华;张世杰;黄家晔;谢庆堂 | 申请（专利权）人： | 颀邦科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/13 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型是有关于一种半导体结构，其包含有载体以及多个混成凸块，该载体具有表面及多个凸块下金属层，上述混成凸块形成于上述凸块下金属层上，各该混成凸块具有芯部及接合部，该芯部具有顶面，该接合部包含有第一接合层及第二接合层，该第一接合层形成于该芯部的该顶面及该凸块下金属层，其中该第一接合层具有基底部、凸出部及容置空间，该基底部具有上表面，该凸出部凸出于该上表面，且该凸出部位于该芯部上方，该容置空间位于该凸出部外侧，该第二接合层覆盖该凸出部及该上表面且填充于该容置空间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于其至少包含：载体，其具有表面及多个形成于该表面的凸块下金属层；以及多个混成凸块，其形成于上述凸块下金属层上，各该混成凸块具有芯部及接合部，该芯部具有顶面，该接合部包含有第一接合层及第二接合层，该第一接合层形成于该芯部的该顶面及该凸块下金属层，其中该第一接合层具有基底部、凸出部及容置空间，该基底部具有上表面，该凸出部凸出于该上表面，且该凸出部位于该芯部上方，该容置空间位于该凸出部外侧，该第二接合层覆盖该凸出部及该上表面且填充于该容置空间，各该基底部具有第一高度，各该第二接合层具有第二高度。
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