[实用新型]内嵌分离式多晶硅电极的沟槽式屏蔽井区功率MOSFET

摘要

一种内嵌分离式多晶硅端电极的沟槽式屏蔽井区功率MOSFET，该晶体管由多个单位晶胞(Unit Cell)所组成，且这些单位晶胞的任意一个的结构包含：基板、外延层、基体接面、源极接面、绝缘层、多个栅极端电极、源极端电极、第一屏蔽井区与第二屏蔽井区。其中，该外延层设置于该基板的一侧，且该外延层具有栅极沟槽与源极沟槽，而该栅极沟槽内嵌有栅极电极与屏蔽电极，又该栅极电极与该屏蔽电极彼此相互分离地设置。此外，该源极沟槽或该栅极沟槽可为浅沟槽或深沟槽的至少其中之一。故借由本实用新型的晶体管可用以降低漏电流及加强雪崩能量的耐受度。

主权项

一种内嵌分离式多晶硅电极的沟槽式屏蔽井区功率MOSFET，其特征在于，该功率MOSFET由多个单位晶胞所组成，且这些单位晶胞的任意一个的结构包含：基板；外延层，设置于该基板的一侧，且该外延层具有栅极沟槽与源极沟槽，其中该源极沟槽或该栅极沟槽分别为浅沟槽或深沟槽的至少其中之一；基体接面，设置于该外延层的一侧，且该基体接面具有重掺杂区并设置于该源极沟槽的两侧边；源极接面，设置于该基体接面的一侧，且该源极接面设置于该栅极沟槽的两侧边；绝缘层，设置于该源极接面的一侧，且该绝缘层填入该栅极沟槽与该源极沟槽；栅极电极，内嵌设置于该栅极沟槽；屏蔽电极，设置于该栅极沟槽与分离地设置于该栅极电极的底部；第一屏蔽井区，植入于该外延层，且该第一屏蔽井区包覆该栅极沟槽与该源极沟槽；以及第二屏蔽井区，植入于该外延层，且该第二屏蔽井区形成于该源极沟槽的底部或包覆该源极沟槽的至少一部分。