[发明专利]一种超声波辅助石墨烯去胶的方法有效
| 申请号： | 201210593951.5 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103065940A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 韩砀;王东;宁静;闫景东;柴正;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超声波辅助石墨烯去胶的方法，将化学气相沉积方法生长在铜箔上的石墨烯用PMMA进行甩胶、烘干；用FeCl3溶液腐蚀下方铜箔；将PMMA定型的石墨烯转移至Si-SiO2衬底上；将石墨烯样品放入超声波发生器进行超声波处理；注入分析纯的丙酮，启动超声波发生器进行清洗；清洗结束后取出样品，在无水乙醇中漂洗2~20min，再用去离子水冲洗2~20min；将样品用氮气吹干保存；该方法有效地加速了PMMA残胶的溶解，改善了石墨烯表面的清洁度；避免了高温退火引起衬底对石墨烯的掺杂；合适的超声功率及处理时间防止了对石墨烯的破损，节约时间，提高了石墨烯的制备效率，具有较强的推广与应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超声波 辅助 石墨 烯去胶 方法 | ||
【主权项】：
一种超声波辅助石墨烯去胶的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤一，将化学气相沉积方法生长在铜箔上的石墨烯用PMMA进行甩胶、烘干；步骤二，用FeCl3溶液腐蚀下方铜箔；步骤三，将PMMA定型的石墨烯转移至Si‑SiO2衬底上；步骤四，将石墨烯样品放入超声波发生器进行超声波处理；步骤五，注入分析纯的丙酮，启动超声波发生器进行清洗；步骤六，清洗结束后取出样品，依次在无水乙醇中漂洗、去离子水中冲洗；步骤七，将样品用氮气吹干保存。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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