[发明专利]高可靠性的高电压垂直发光二极管阵列有效
申请号: | 201210586190.0 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103050504A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 何咏恩;吴恩柏 | 申请(专利权)人: | 香港应用科技研究院有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国香港新界沙田香港科*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种改良的高电压垂直发光二极管,相对于传统LED阵列,其能产生较少热量。特别是,本发明提供的高电压垂直LED阵列,每个LED包括了位于发光面上的第一电极和第二电极。导电矩阵围绕着每个LED并电连接到每个电极,而电绝缘材料位于相邻二极管之间,使得有第一电通路在第二和第一电极之间,穿过每个二极管。隔离材料置于相邻LED之间的导电矩阵中,以相互隔离相邻的两个第二电极。在相邻二极管之间还有阻抗改变材料,在一个单独的LED损坏后,其能永久性地降低其阻抗,以提供另一条电通路。因此提高了高电压垂直LED阵列的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 可靠性 电压 垂直 发光二极管 阵列 | ||
【主权项】:
一个高电压垂直发光二极管阵列,包括:多个高电压垂直发光二极管,每个高电压垂直发光二极管包括第一电极和第二电极,所述第一电极位于所述垂直发光二极管的发光面,所属第二电极位于所述垂直发光二极管的第二面;导电矩阵,其围绕着每个高电压垂直发光二极管并电连接每个垂直发光二极管的每个第一电极和每个第二电极;隔离材料,其位于所述导电矩阵中,并位于相邻的所述高电压垂直发光二极管的第二电极之间,使相邻的第二电极相互隔离,使得第一电流通路在所述第二和第一电极之间,穿过每个高电压垂直发光二极管;阻抗改变材料,当其在相邻两个高电压垂直发光二极管之间遭受到一个预定电压和/或电流时,其会永久性地降低其阻抗,因而在一个单独的高电压垂直发光二极管损坏后,导致所述预定电压和/或电流施加在其上,用以提供另一条电通路穿过所述导电矩阵。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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