[发明专利]高可靠性的高电压垂直发光二极管阵列有效
申请号: | 201210586190.0 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103050504A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 何咏恩;吴恩柏 | 申请(专利权)人: | 香港应用科技研究院有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国香港新界沙田香港科*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可靠性 电压 垂直 发光二极管 阵列 | ||
【技术领域】
本发明涉及垂直LED阵列。具体地,本发明涉及高电压垂直LED阵列,其备有另一条电通路以防设备故障,从而拥有高可靠性能。
【背景技术】
在各种商业应用中(包括计算机显示器、住宅和商业室内照明、户外照明、标牌、信号显示、和电视机),LED作为光源具有许多现有的和潜在的应用。但是,传统LED也有不少问题。传统LED通常是单独封装,或每个封装只有少量器件在内。这种传统封装通常适用于低电压和高的驱动电流的环境之下。驱动电流越高,每个LED产生的热量就越多。因此需要散热机制,这包括厚重且昂贵的热沉或有源冷却如风扇。两种机制都大大增加了封装成本,而且使得很难使用上大量LED,尤其是在一个狭小的空间之内。
最近,有LED阵列的生产了。这些阵列通常都是使用多个水平发光的LED,它们和非阵列封装一样同样需要高驱动电流,因而亦会产生散热问题。尽管也有生产一些垂直发光的LED阵列,但是这些阵列通常都是很复杂的设计,制作成本高且产量低。
高电压LED也是为人所知的。这种LED是在高电压下运行,因此运作时消耗的电流很少。所以高电压LED产生的热量就会较少。举例,对于输出功耗同是1瓦特的LED,驱动3V的低电压LED要使用350mA的电流,而驱动50V的高电压LED仅需要20mA的电流。
因此改良LED阵列是有需要的,使其可以产生较少热量,而有高的流明输出。除此以外,可以更进一步改良LED阵列,使其阵列中如果一个或多个LED发生故障时,其还能有相当高的可靠性。
【发明内容】
本发明提供了一种改良的LED阵列,其使用垂直发光LED用于高电压、低电流驱动。和传统LED阵列相比,这个高电压垂直LED阵列产生较少的热量,而具有高亮度(高流明输出)和均匀发光特性。另外,一旦阵列中有一个或多个LED损坏,本发明的高电压垂直LED阵列是不会中断阵列中其它LED的运作。
特别是,本发明提供的高电压垂直LED阵列,每个LED包括位于发光面的第一电极和第二电极。一导电矩阵围绕着每个LED并电连接到每个电极。一电绝缘材料位于相邻LED之间,使得有第一电通路在第二和第一电极之间,穿过每个LED。一电隔离材料穿过相邻两个LED的第二电极之间的导电矩阵,以相互隔离相邻的两个第二电极。在相邻LED之间还有一阻抗改变材料,在一个单独的高电压垂直LED损坏后,其能永久性地降低其阻抗,以提供另一条电通路。
【附图说明】
图1A-1B显示本发明的实施例的高电压垂直发光二极管阵列的部分。
图2A-2B显示在正常状态下和在阵列中一个LED损坏后的电流流过高电压垂直发光二极管的情况。
图3A-3B显示串联连接的LED阵列(图3A)和并联连接的LED阵列(图3B)。
【具体实施方式】
参见附图,图1A和1B显示本发明的高电压垂直发光二极管(LED)阵列的一个部分100。在图1A中,显示有两个相邻的高电压发光二极管200;但是该明白,一个阵列中LED的数量是可以根据产品的最终应用来选择的(例如,该阵列是用于显示器或者用于商业照明等等)。所以一个阵列可以有很少或者很多个LED,如少至两个LED,到多至64个LED,这些数字仅仅只是示范性的,并不是限制性的;根据本发明,是还能够制作更大的LED阵列。
每个LED 200包括第一电极210和第二电极220,第一电极210置于LED 200的发光面202,第二电极220置于LED 200的另一面。本发明的阵列中所使用的高电压LED可以是任何垂直LED材料和结构,例如共同受让的美国专利7,846,753号披露的氮化镓基LED及其制作,该披露被引入本文作为参考之用。而本发明的阵列中还可以使用其它垂直发光LED材料和结构,包括有机和无机材料基的垂直LED。
对于电极210和220的电极材料,可以是相同的或不同的,可以是金属、合金、导电氧化层、或其它导电材料。因为电极210是位于发光面,所以最好选用透明的电极材料如铟锡氧化物。或者,也可以使用薄的金属电极作电极210。当金属/金属合金电极足够薄时,电极也就几乎是透明的/半透明的,LED发出的光也就几乎不会被该金属电极吸收了。这种薄电极包括金、金和钯的合金、铂、镍、氧化镍、和钯。也可以使用其它材料,只要它们的厚度在足够薄且薄到至少半透明时仍具有高导电性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的