[发明专利]具有横向绝缘栅双极晶体管的半导体器件

摘要

一种具有横向绝缘栅双极晶体管的半导体器件包括：第一导电类型漂移层（2）、在所述漂移层（2）的表面部分中形成的第二导电类型集电极区（4）、在所述漂移层（2）的表面部分中形成的第二导电类型沟道层（6）、在所述沟道层（6）的表面部分中形成的第一导电类型发射极区（7）、以及在所述漂移层（2）中形成并定位于所述集电极区（4）和所述发射极区（7）之间的空穴截断区（14）。空穴从所述集电极区（4）注入所述漂移层（2）中，并且通过空穴路径向所述发射极区（7）流动。所述空穴截断区（14）阻挡空穴流并使所述空穴路径变窄以使空穴聚集。

主权项

一种具有横向绝缘栅双极晶体管的半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底（1、20、30），其具有第一导电类型漂移层（2）；第二导电类型集电极区（4），其在所述漂移层（2）的表面部分中形成，并具有纵向方向；第二导电类型沟道层（6），其在所述漂移层（2）的表面部分中形成，并且具有定位于所述集电极区（4）的每侧上的直线形部分；第一导电类型发射极区（7），其在所述沟道层（6）的表面部分中形成，并在所述沟道层（6）内部终止，所述发射极区（7）具有平行于所述纵向方向延伸的直线形部分；栅极绝缘层（10），其与所述沟道层（6）的沟道区接触，所述沟道区定位于所述发射极区（7）和所述漂移层（2）之间；栅电极（11），其在所述栅极绝缘层（10）的表面上形成；集电极电极（12），其电连接到所述集电极区（4）；发射极电极（13），其电连接到所述发射极区（7）和所述沟道层（6）；以及空穴截断区（14），其在所述漂移层（2）中形成并且定位于所述集电极区（4）和所述发射极区（7）之间，其中，空穴从所述集电极区（4）注入到所述漂移层（2）中并且通过空穴路径向所述发射极区（7）流动，并且所述空穴截断区（14）阻挡空穴流，并且使所述空穴路径变窄以使所述空穴聚集。