[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210574315.8 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103367456A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 曺基述;朴美景;崔栽荣 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括：栅极，形成在基板上且具有以固定间隔分开的多个水平电极部；栅绝缘膜，形成在包含栅极的基板的整个表面上方；有源图案，形成在多个水平电极部上方的栅绝缘膜上；蚀刻停止膜图案，形成在有源图案和栅绝缘膜上方，以对有源图案和栅极的顶部部分覆盖；源极，形成在有源图案、栅绝缘膜和蚀刻停止膜图案上，以覆盖相邻水平电极部的顶部；和漏极，形成在有源图案、栅绝缘膜和蚀刻停止膜图案上，以覆盖位于最外端的水平电极部的顶部。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅极，形成在基板上且具有以固定间隔分开的多个水平电极部；栅绝缘膜，形成在包含栅极的基板的整个表面上方；有源图案，形成在多个水平电极部上方的栅绝缘膜上；蚀刻停止膜图案，形成在有源图案和栅绝缘膜上方，以部分覆盖有源图案和栅极的顶部；源极，形成在有源图案、栅绝缘膜和蚀刻停止膜图案上，以覆盖相邻水平电极部的顶部；和漏极，形成在有源图案、栅绝缘膜和蚀刻停止膜图案上，以覆盖位于最外端的水平电极部的顶部。
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