[发明专利]溅射用铜靶材以及溅射用铜靶材的制造方法有效
| 申请号： | 201210570188.4 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103173729A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 辰巳宪之;外木达也;小林隆一;上田孝史郎 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22F1/08 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供溅射用铜靶材以及溅射用铜靶材的制造方法。本发明在获得高成膜速度的同时，在含高熔点金属的膜上形成由低电阻的纯铜构成的溅射膜。本发明的溅射用铜靶材由纯度3N以上的无氧铜形成，溅射面中的（111）面的取向率为13%以上30%以下，溅射面中的（200）面的取向率为10%以上50%以下，平均结晶粒径为0.1mm以上0.2mm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 用铜靶材 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射用铜靶材，其特征在于，由纯度3N以上的无氧铜形成，溅射面中的（111）面的取向率为13%以上30%以下，所述溅射面中的（200）面的取向率为10%以上50%以下，平均结晶粒径为0.1mm以上0.2mm以下，所述（111）面和所述（200）面的取向率是将以下值设为100%时的比例：对所述（111）面、所述（200）面、（220）面和（311）面通过X射线衍射所得到的各晶面的峰的测定强度分别除以JCPDS中记载的与所述各晶面对应的晶面的峰的相对强度而得到的值的合计值。
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