[发明专利]赝配高电子迁移率晶体管及其制作方法

摘要

本发明涉及一种赝配高电子迁移率晶体管，包括InGaAs沟道、AlGaAs势垒层、低掺杂砷化镓层及高掺杂砷化镓层，低掺杂砷化镓层在InGaAs沟道及AlGaAs势垒层上；高掺杂砷化镓层在低掺杂砷化镓层上；高掺杂砷化镓层上设置源电极和漏电极；源电极和漏电极之间设置第一凹槽；在第一凹槽中设置第二凹槽；栅电极金属位于第二凹槽上；在栅金属表面设置第一介质层，在晶体管表面设置第二介质层，第一介质层与第二介质层之间形成空洞。本发明同时涉及该晶体管的制作方法。本发明通过形成特殊的器件形貌结构；并通过涂胶、生长介质、以及去除牺牲胶层的工艺途径，在栅电极的两侧形成很大的真空空洞，极大幅度的降低栅的寄生电容，大幅度的提高器件的频率特性。

主权项

一种赝配高电子迁移率晶体管，包括InGaAs沟道、AlGaAs势垒层（3）、低掺杂砷化镓层（4）及高掺杂砷化镓层（5），其特征在于：低掺杂砷化镓层（4）在InGaAs沟道及AlGaAs势垒层（3）上；高掺杂砷化镓层（5）在低掺杂砷化镓层（4）上；高掺杂砷化镓层（5）设置源电极（6）和漏电极（7）；源电极（6）和漏电极（7）之间设置第一凹槽（8）；在第一凹槽（8）中设置第二凹槽（9）；栅电极金属（10）位于第二凹槽（9）上；在栅金属表面设置第一介质层（11），在晶体管表面设置第二介质层（13），第一介质层（12）与第二介质层（13）之间形成空洞（12）。