[发明专利]用于多栅极晶体管的装置和方法有效
| 申请号： | 201210558875.4 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103633115B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 乔治斯·威廉提斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于多栅极晶体管的装置和装置，其中，该装置包括具有第一晶体取向的衬底和有源区域，有源区域的上部具有第二晶体取向并且有源区域的上部在两侧被栅极结构环绕。该装置还包括被隔离区域围绕的沟槽，有源区域的上部位于隔离区域的顶面之上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 栅极 晶体管 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于多栅极晶体管的装置，包括：衬底，具有第一晶体取向；有源区域，形成在所述衬底的上方，其中：所述有源区域的上部具有第二晶体取向；并且所述有源区域的所述上部在两侧被栅极结构所环绕；以及沟槽，形成在所述衬底中并被隔离区域围绕，其中：所述有源区域的所述上部位于所述隔离区域的顶面上方，所述有源区域的底部区域形成在所述沟槽中并且由与所述衬底不同的材料形成，穿透位错被限制在所述底部区域中，所述上部的底面与所述隔离区域的顶面齐平。
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