[发明专利]半导体集成电路制造方法在审
| 申请号： | 201210553745.1 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103681252A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈俊璋;杨舜升;吴权陵;莫忘本;谢弘璋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制成半导体集成电路(IC)的方法。该方法包括提供具有彼此相邻的两个不同构型的区域的衬底。在衬底的上方沉积阶梯成形材料(SFM)。在两个区域中的低构型的区域中形成图案化的SFM。图案化SFM的形成提供穿过衬底的很平的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体集成电路(IC)的方法，包括以下步骤：提供具有第一区域和第二区域的半导体，所述第一区域的顶面和所述第二区域的顶面不共面；在所述第一区域和所述第二区域的上方沉积光敏阶梯成形材料(SFM)；以及从所述第二区域中去除所述SFM，从而在所述第一区域中形成图案化光敏SFM。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
