[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210548834.7 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103872119A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 黄智方;彭柏瑾;萧琮介;刘亚弦;张国城;苏宏德;邱建维;黄宗义;杨宗谕;张庭辅 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)及其制造方法。HEMT包含：基板、第一氮化镓层、P型氮化镓层、第二氮化镓层、阻障层、栅极、源极与漏极。其中，第一氮化镓层形成于基板上，由剖视图视之，第一氮化镓层具有阶梯轮廓，且P型氮化镓层形成于阶梯轮廓的上阶表面上，其具有增强侧壁；第二氮化镓层形成于P型氮化镓层上，阻障层形成于第二氮化镓层上，以使二维电子云(2-D electron gas,2DEG)形成于阻障层与第二氮化镓层间。栅极形成于增强侧壁外，用以接收栅极电压，进而导通或不导通HEMT。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：一基板；一第一氮化镓层，形成于该基板上，由剖视图视之，该第一氮化镓层包括一阶梯轮廓，其具有一上阶表面、一下阶表面、以及连接该上阶表面与该下阶表面的一阶梯侧壁；一第一P型氮化镓层，形成于该上阶表面上，具有一增强侧壁；一第二氮化镓层，形成于该第一P型氮化镓层上；一第一阻障层，形成于该第二氮化镓层上；一栅极，形成于该增强侧壁外侧，用以接收一栅极电压，进而导通或不导通该高电子迁移率晶体管；以及一源极与一漏极，分别形成于该第二氮化镓层上与该第一氮化镓层上的该栅极两侧。
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