[发明专利]双掺杂In4Se3基热电材料及其制备和用途有效
| 申请号： | 201210539358.2 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103022336A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 吴立明;林志盛;陈玲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01L35/18 | 分类号： | H01L35/18;C22C12/00;H01L35/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及双掺杂In4Se3基热电材料In4-xPb0.01SnxSe3 (x = 0.02-0.05)、其制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb、 Sn双掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb、 Sn双掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最高达到1.4，比目前商业化热电材料体系的热电性能提高40%，因此可用于高效热-电转换器件制作。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 in sub se 热电 材料 及其 制备 用途 | ||
【主权项】：
双掺杂In4Se3基热电材料In4‑xPb0.01SnxSe3 (x = 0.02‑0.05)，当x=0.04，材料的热电优值达到1.4。
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